納米大視界 : 顯微鏡下圍觀Intel 14nm半導體工藝
Intel 14nm是這個星球上迄今最先進的半導體工藝,小編在拿到幾臺Core M筆記本后也迫不及待地拆開,將處理器放到了顯微鏡下進行觀察分析。
經過處理后得到的側視圖,因為放大率比較高所以有些模糊,但依然能夠數出10個接觸柵極,總間距699nm,每兩個之間約為70nm。
晶體管鰭片。20個之間的間距是843nm,每兩個之間42nm。?
都完美符合Intel的宣傳。
橫切面照片。65nm節(jié)點引入的厚金屬頂層依然在,而且現在其下已經堆到了13層!以及一個金屬絕緣層。
邊封沒有金屬層和絕緣層,可以很輕松地數出12層。上一代22nm還只有9層,Bay Trail則是11層,但最多的來自IBM 22nm Power8,15層。
Intel說互連間距是52nm,但實際量了一下是54nm,在誤差范圍內,但也可能觀察的不是最緊密的部位。
更深入的透射電子顯微鏡觀察正在進行中,屆時將看到晶體管和鰭片。這是Intel官方給出的圖像。就目前看到的而言,Intel 14nm很大程度上就是22nm的縮小增強版,結構設計并未做太大變動。
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